蓝宝石由于具有与GaN大体匹配的晶格，以及与同质衬底相比的成本效益，是LED开盒即用晶片的卓越材料。在诸如商业和住宅照明等应用不断增加的需求推动下，为了满足今后数年里预期的市场增长，LED市场将需要越来越多的低成本LED级蓝宝石。蓝宝石的高熔点导致诸如氧空位和间隙原子等点缺陷的平衡量
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噜噜噜 2018-06-01 10:20:22从人类基因看生鲜照明
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Elaineluoy 2018-03-30 16:58:02新型LED均匀布光微结构设计和仿真
lkp6300 2018-03-13 12:17:02各主要国家电压
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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![深圳市2009年—2015年LED产业发展规划[附图表]](/uploadfile/file_thumb/file_980_cover.jpg)
深圳市已设立“深圳国家半导体照明工程产业化基地联席会议”，积极推进LED产业发展。目前，基本形成“衬底材料—外延片—芯片—封装—应用”相对完整的产业链，为产业发展奠定了良好的基础。未来5—10年，是现代LED技术产业化应用大规模展开。
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近几年LED技术发展迅速，取得衬底、外延及芯片核心技术突破性进展。
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硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数。本文通过调节硅烷浓度，得到了系列位于非晶，微晶过渡区内的材料。研究发现：在非晶，微晶过渡区内存在着一个特别的区域，该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高。以这部分材料作为太阳电池的本征层，通过优化电池结构，在Sn02衬底上制备pin型太阳电池，电池的初始开路电压(Voc)达到了0．916 V。
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进入2011年，蓝宝石衬底的价格水平开始回落，蓝宝石衬底的毛利率也随着下降。未来随着蓝宝石衬底产能大幅扩张，毛利率必然呈下降趋势。
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GT Advanced Technologies 先进的蓝宝石炉 (ASF™) 是生产高品质、大面积蓝宝石衬底的理想平台，以满足最高级别材料的市场需求，例如高亮度 LED 和其他特殊工业市场。凭借 40 年业经证明的蓝宝石生产和晶体生长工艺技术，ASF 将其先进蓝宝石长晶炉置于高度自动化、可稳定生产匀质蓝宝石晶锭的低风险操作环境中，为客户生产低成本高品质材料。
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本文研究了在带有Cr /Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极，并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素，希望得到对PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能，有望广泛应用于微器件中。
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根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus2Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析，总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm ×16μm 和2μm。简述了减薄GaAs 衬底的作用，设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。
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目前，蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高昂、专利壁垒等问题，众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案：不同的衬底材料。
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采用垂直整合来提高蓝宝石衬底的制造效率
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